全球存儲芯片價格連漲兩年，手機廠商等下游廠商怨聲載道接連投訴后，三大存儲芯片巨頭終于迎來了中國反壟斷機構(gòu)的調(diào)查。
據(jù)報道，5月31日，中國反壟斷機構(gòu)派出多個工作小組，分別對三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的辦公室展開“突襲調(diào)查”和現(xiàn)場取證，標(biāo)志著中國反壟斷機構(gòu)正式對三家企業(yè)展開立案調(diào)查。
對此，三星中國公司相關(guān)負(fù)責(zé)人對媒體確認(rèn)了上述消息，“5月31日有過現(xiàn)場調(diào)查，目前我們正在協(xié)助調(diào)查，中國三星在接受問詢當(dāng)中。”
存儲芯片連漲兩年，勢頭不減
自2016年三季度以來,存儲芯片價格上漲周期已經(jīng)持續(xù)了近兩年時間，且仍沒有停止的跡象。據(jù)有關(guān)數(shù)據(jù)，從2016年6月1日到2018年2月1日，4GB的DRAM內(nèi)存價格上漲了130%。僅在2017年，DRAM內(nèi)存價格就上漲了47%，創(chuàng)下近30年來最大漲幅。
信達(dá)證券認(rèn)為，本次存儲器價格大幅增長的原因主要有兩個：一是下游需求快增長，隨著云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、汽車電子、消費電子等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，存儲器的需求越來越高，以智能手機為例，除蘋果在運行內(nèi)存方面比較保守，4GB內(nèi)存已成為安卓千元機標(biāo)配，內(nèi)存需求越來越高;二是供給端產(chǎn)能下降，DDR3升級到DDR4，DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)去生產(chǎn)3DNAND，部分存儲器廠商由生產(chǎn)2DNAND轉(zhuǎn)向生產(chǎn)3DNAND，建廠周期較長影響了存儲芯片的供應(yīng)。
此外，高度集中的市場格局也是存儲芯片價值保持高位的重要原因。目前，三星、海力士、美光是全球三大存儲芯片巨頭，在DRAM(動態(tài)存儲)、NAND Flash(閃存)兩大產(chǎn)品線中占據(jù)全球絕大多數(shù)市場份額。
根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)發(fā)布的數(shù)據(jù)，在DRAM市場，三星、海力士、美光的市場份額分別為44.5%、27.9%、22.9%，三家合計占比95.3%，幾乎壟斷整個市場;在NAND市場，三星、海力士、美光的市場份額分別為39%、10.5%、11.3%，三家合計也高達(dá)60.8%。
存儲芯片漲價潮讓三家公司賺得盆滿缽滿。根據(jù)美光、三星、海力士財報統(tǒng)計，2017年，三家公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國營收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元，總計446.8億美元，同比2016財年的321億美元增長39.16%。
尤其是三星公司，在Note7"爆炸門"后，其手機品牌形象受到重創(chuàng)。但是，三星在手機市場上喪失的利潤，卻在芯片領(lǐng)域加倍要了回來。財報顯示，2017年三星營收239.58兆韓元(約合2238億美元)，同比增長18.7%，營業(yè)利潤53.65兆韓元(約合501.7億美元)，同比增長83.5%，凈利潤42.19兆韓元(約合394.6億美元)，同比增長85.7%。
2017年，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營業(yè)收入只占三星總營收的20%，但貢獻(xiàn)了65.64%的凈利潤。其中，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國營收253.86億元，占半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總營收近51%。憑借著半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的強勢增長，三星在全球芯片市場的排位更是在去年第二季度超過了老大英特爾。
根據(jù)相關(guān)規(guī)定，可以讓這些企業(yè)繳納銷售額1%-10%的罰款，這次反壟斷調(diào)查，如果裁定三大巨頭存在價格壟斷行為，以2016-2017年度銷售額進(jìn)行處罰，那么罰金將在8億美元-80億美元之間。
中國廠商成漲價最大受害者
目前，中國是全球最主要的存儲芯片消費國。根據(jù)研究公司TrendForce提供的數(shù)據(jù)顯示，中國消耗了全球20%的DRAM內(nèi)存芯片和25%的NAND閃存芯片。海關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2017年中國進(jìn)口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。
三星內(nèi)存條
芯片價格飆漲讓中國的手機廠商等承受了巨大的成本壓力，一時間中國智能手機市場也被迫掀起了一波漲價潮。去年12月，曾有手機廠商因為存儲器價格上漲和供應(yīng)不暢，向發(fā)改委對三星提出了檢舉。
今年4、5月份，有美國消費者也對三星等廠商進(jìn)行了指控，稱其操控內(nèi)存行業(yè)零售價格。4月27日，美國律師事務(wù)所Hagens Berman在加州北部地區(qū)法院對美光、三星、海力士發(fā)起反壟斷集體訴訟。該律師事務(wù)所稱，調(diào)查顯示，DRAM制造商協(xié)商同意通過限制DRAM的供應(yīng)來提高DRAM的價格。
事實上，存儲芯片寡頭之間形成價格聯(lián)盟并非首次。三星曾被指控從 1999 年到 2002 年人為抬高 DRAM 價格。海力士也被指控價格壟斷陰謀。2002年，美國司法部向美光、三星、海力士、英飛凌等公司的價格壟斷行為展開調(diào)查。
2005-2006年，三星、海力士、英飛凌、爾必達(dá)先后承認(rèn)價格壟斷行為，別被罰款3億美元、1.85 億美元、1.6 億美元、8400萬美元，總計7.29 億美元。美光因率先認(rèn)罪并協(xié)助調(diào)查而免于處罰。
三大陣營穩(wěn)步推進(jìn)，2019年有望成國產(chǎn)存儲芯片量產(chǎn)元年
為了擺脫受制于人的局面，掌握行業(yè)話語權(quán)，中國在芯片領(lǐng)域重金投入。研究機構(gòu)指出，中國存儲器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于行動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存晉華集成三大陣營為主。以目前三家廠商的進(jìn)度來看，其試產(chǎn)時間預(yù)計將在2018年下半年，隨著三大陣營的量產(chǎn)的時間可能皆落在2019年上半年，揭示著2019年將成為中國存儲器生產(chǎn)元年。
長江存儲
2015年11月，紫光國芯發(fā)布定增額度預(yù)案，在存儲器領(lǐng)域投入932億元建設(shè)存儲芯片工廠。而后，又認(rèn)購多家半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域封測廠股份，并在收購武漢新芯后成立長江存儲，著力發(fā)展大規(guī)模存儲器。
今年4月5日，長江存儲首批400萬美元的精密儀器開始進(jìn)場安裝，標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。5月19日，價值7200萬美元的首臺193nm浸潤式光刻機抵達(dá)武漢，將成為長江存儲的第一臺光刻機，用于生產(chǎn)14nm~20nm工藝芯片。
根據(jù)長江存儲規(guī)劃，預(yù)計7月底或8月初具備試生產(chǎn)條件，年內(nèi)將可產(chǎn)出5000片32層三維NAND閃存芯片;2019年，32層三維NAND閃存芯片產(chǎn)量將提升至每年10萬片，當(dāng)年年底試產(chǎn)64層三維NAND閃存芯片;2020年，64層三維NAND閃存芯片產(chǎn)能將提升至每年10萬片，并研發(fā)具有全球先進(jìn)水平的128層三維NAND閃存芯片。
長江存儲重點聚焦的是64層3D NAND芯片。如果一切進(jìn)展順利，長江存儲2019年開始量產(chǎn)64層的3D NAND閃存，屆時他們與三星等大廠的差距就可縮短在2年以內(nèi)。
福建晉華
國家重點支持DRAM存儲器生產(chǎn)項目，由福建省電子信息集團(tuán)及泉州、晉江兩級政府共同投資。項目被國家納入了“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃項目列表，并獲得首筆30億元人民幣的國家專項建設(shè)基金支持。
2016年5月，福建晉華宣布與聯(lián)電合作，將結(jié)合臺灣的半導(dǎo)體制造能力以及中國大陸的市場與資金。由聯(lián)電在臺灣進(jìn)行技術(shù)研發(fā)，晉華提供DRAM特用裝備，技術(shù)成果為雙方所共同擁有，共同角逐市場份額。
有關(guān)媒體報道,福建晉華集成電路公司的生產(chǎn)線設(shè)備安裝將于7月底完成，三季度實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，預(yù)計達(dá)到6萬片/月的產(chǎn)能規(guī)模。
合肥長鑫
早在2013年，合肥市政府便出臺了《合肥市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2013—2020年)》。規(guī)劃提出，合肥將重點發(fā)展芯片設(shè)計業(yè)和特色晶圓制造，計劃到2020年，實現(xiàn)現(xiàn)綜合產(chǎn)能超10萬-15萬片/月。
據(jù)Digitimes報道，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地所需的300臺研發(fā)設(shè)備已基本全部到位，待裝機完成之后，從2018年下半年開始便全力投入試生產(chǎn)的環(huán)節(jié)。
2018年4月15日，長鑫存儲技術(shù)有限公司的董事長王寧國在合肥集成電路重大項目發(fā)布會上表示，合肥長鑫DRAM內(nèi)存芯片一期(一廠廠房)已于2018年1月完成建設(shè)，并開始安裝設(shè)備;2018年底就將開始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲器的工程樣品;2019年底有望達(dá)到2萬片/月的產(chǎn)能;2020年再開始規(guī)劃二廠廠房的建設(shè);2021年要完成對17nm工藝節(jié)點的技術(shù)研發(fā)。王寧國表示，希望 2018 年底第一個中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。在將來，合肥長鑫希望憑借自身的DRAM IDM平臺，來大力扶持處在行業(yè)上游的、國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。
業(yè)界預(yù)計，合肥長鑫存儲項目正式投產(chǎn)后，將占據(jù)世界DRAM市場約8%的份額。 |
